조회 수: 2679, 2015-04-27 23:14:37(2012-11-24)
++보충 설명--아래 글에서 150V 면 충분하다고 했는데 Load 가 없으면 peak 치 180 까지 올라 갑니다.
현대 Capacitor 는 순간 Peak 전압에도 견들수 있습니다.
이런 규정이 없는 Capacitor는 200V 짜리를 쓰도록 합니다.
Toroid 전원 Trans 무계가 제가 만든 OPT 보다 가볍다면 Trans 용량 자체가 모자라는것 같습니다.
R-core 에 비해서 Toroid 의 큰 단점은 열의 발산 능력이 많이 모자랍니다.
저도 R-core 로 전원 Trans 감아 보겠습니다. RST 님의 R-core 전원 T 결과 기다리겠습니다
Rt=10일 때 목표하는 B전압이 나왔기 때문에 10옴을 연결해 두고 듣고 있습니다.
콘덴서의 용량을 대폭 늘인 결과 교류잡음은 정말 하나도 안들립니다.
그리고 테스트하다가 하나의 의문점은 Rt 를 b점에 연결했더니 저항이 과열로 타버렸습니다.
a에 연결하면 괜챦습니다.
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Rt 를 b점에 연결했더니 저항이 과열로 타버렸습니다. a에 연결하면 괜챦습니다.
--> D1 회로와 D2회로에 Unbalance 돼여 있습니다.
Rcore 에 드라이버 데면 진동이 느껴지고 자석처럼 붙네요
--> 정류회로가 Unbalance 돼여서 Core 가 전기 자석이 됐습니다.
오래 켜 두니 뜨거워 오래 만지기는어렵네요.
--> 고압 권선의 Load 를 약간 줄이는것이 좋겠습니다. Rt 를 20 ohm 로 하고 660uF 제거해 보십시요.
전압도 내려가고 Hum 이 들리나 Test 하십시요
이상합니다. 무부하시 320v 에서 히이터전원 켜서 부하 걸리면 80v 전압 떨어집니다.
--> 이상한것 아닙니다 - 이것이 바로 많은 진공관 大家들이 Capacitor Input 회로 는 못쓴다고하는 이유중의 하나 입니다. Capacitor 에 고압이걸려서 파괴돼고 때로는 정류관까지 못쓰게 됍니다. 이유를 알아보십시요
Unbalance 의 의미를 잘 모르겠습니다.
--> a,b 점의 전류는 똑 같습니다. 어디선가 잘못 됐슬 겁니다
660uF을 Rb다음에 연결하는것이 더 효과가 있슬것 같습니다
Vb 에 총 800uF 가 들어가 있습니다. 이용량을 Hum이 들릴가 말가하는 한계 까지 줄여 보십시요.
이 과정에서 Capacitor 양단에나타나는 AC 전압도 재보시고요
이렇게 수정을 했습니다.
콘덴서 각단의 전압을 기입했습니다.
B전압은 245V로 목표전압 254V보다 낮지만
이정도의 전압으로는 초단 회로 수정하지 않아도
그대로 사용할 수 있는 것으로 확인했습니다.
잡음은 660uF다음에 Rb 저항 달았을 때 거의 안들렸는데
위의 그림처럼 다니까 이어폰으로 작게 들립니다.
그러나 스피커통해서는 거의 안들리므로 이대로 상관없겠습니다.
이상태에서 Rb,Rt나 콘덴서 용량을 조금이라도 줄이면 잡음이 커져서
이 상태가 저의 허접 트로이달 트랜스로서는 최선인 것같습니다
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AC noise 가 전압증폭단 Plate 로 들어가는것 같습니다.
AC 전압을 못 재기 때문에 약간 Noise 가 들리도록해서
전에 제거한 B+ 저항 자리에 5 Kohm 저항읗 삽입해서 Noise 가 없어지나 확인해 보십시요
제일 처음 2단회로가 제일 좋으면 그것으로 돌아 가십시요.
저의 생각은 Power Supply 에 저장돼는 Energy를 최소화 하고 싶습니다.
간단히 요약하자면
Plate 공급 전압에 포함되어있는 AC ripple 에대한 Susceptibility 가 전단으로 갈수록 증가 합니다
즉 각 단 마다 Maximum allowable AC ripple 이 있습니다.
Amp 가 완성해서 잘동작 하면 이 문제로 다시 돌아 오겠습니다. 이 개념은 SMPS 에서 매우 중요합니다.
고압 B 전원에 쓰는 대용량 Capacitor 를 터지지 않은 "폭탄" 이라고 생각 하십시요.
이러한 생각은 앞으로 (언제가 됄지는 모르겠지만) 고전압 반도체소자 설계-사용에 크게 도움이 됍니다.
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