13GB5 pp 회로 설명

조회 수: 3503, 2014-01-17 23:04:51(2013-06-05)

13GB5-pp-circuit-detailed.pdf

 

Trans 개발 시작품의 미국 으로의 송료도 무시할 수가 없어 망서리고 있었으나 너무 RSY님께 부담만 드리고 있어서 저도 참여 합니다..

 

초단 은 3극관 으로 A1급 전압 증폭입니다. 입력신호를 증폭헤서 출력단 13GB5 Control Grid 에 공급합니다.  

둘째단은 위상반전 회로 입니다.   

 

위상반전회로 Plate 와 Cathode 에 같은 값의 저항을 사용하면 여기에 유기되는 전압은 똑 같습니다. 출력은 Ground 를 기준으로 해서 볼때 Plate 와 Cathode 의 신호는 180도의 위상차가 생깁니다. 저는 이회로를 PK 분할형 위상 반전회로라고 부르겠습니다.

 

Cathode 저항에 Bypass Capacitor 가 없기 때문에 전부가 Negative Feedback으로 돼서 Gain 은 1 이 됩니다. (사실은 1 보다 약간 낮은 값). Plate 에 저항이 들어가 있는 Cathode follower 라고 보면 이해가 쉽습니다. 

특이한 점은 위상반전 회로가 전단 Plate에 직결 돼서 Cathode 저항이 충분히 높으면 A1급 동작이 자동으로 설정 됍니다.

저는 이 저항치를 진공관 증폭도 mu 의 1,000 ~ 2,000 로 잡습니다. 즉 mu 가 40 이면 40K ohm 이 됩니다. Plate 측과 Cathode 측의 Impedance의 불균형이 있지만 문제가 된다면 A2 급이 시작 돼는 최대출력 근처에서 입니다. A1 급 동작에서는 무시해도 상관없습니다.

13GB5를 5극관으로 동작 시키면 출력단에 필요한 Drive 전압은 3극관으로 동작할때 보다는 좀 낮아 집니다.

실측한 3극관 동작 Plate V/I 특성에서 미루어 보면  100V pp 정도가 됍니다.  Max. Power 시 Input 를 1.5V rms로 잡으면 100 Vpp/(1.5x2.8Vpp) = 23.8, 최소한 25 배의 전압증폭이 초단에서 이루어져야 합니다.

저의 공식 - Class A1  Grid Drive Voltage (Peak to Peak) = Grid Bias Voltage x 2 

 

5GH8 3극부의 공칭 mu = 40, 이 정도면 쓸수 있을것 같습니다. 저의 1.5V 입력전압의 선택은 일반 Amp 보다 높아서 Volume 위치가 9시나 10시 에서 듣던 것이면 여기서는 1-2 시가 됄겁니다. 그 이상의 이득은 천체 NFB 에 사용 합니다. 쓰지 않는 필요이상의 이득 (높은 입력 감도) 은 S/N 비를 나쁘게 합니다.

초단의 Plate Load 저항은 되도록 높게잡고 공급 B 전압도 높게 했습니다.

Linearity 도 좋게, Gain 도 높게 하기 위해서 입니다.

위상반전 회로가 직결인 관계로 초단관 Plate 전압을 Bias resistor 를 조절해서 여기에 연결된 위상반전 관의 Cathode, Plate 전압이 B+ 전압의 1/3. 2/3 가 되도록 합니다. 즉 전압이 3등분 되는 것입니다.

(초단 Cathode에 2K ohm 가변 저항을 사용 하십시요)

출력단은 Plate 전류가 50ma 가 되도록 Bias 전압을 조절 합니다.

회로 오배선이 없으면 소리를 내서 최적 부하 를 알아봅니다. AF Generator 하고 Oscilloscope 가 필요 합니다.

OPT 와 전원 Trans 관련글, 복합관 5GH8 관련 글은 이미 올려저 있습니다.

전압 증폭단과 위상 반전관으로 사용할수있는 복합관은 회로도에 나와있는 진공관 외에도 많이 있습니다. 

13GB5 는 Trans 와 충분한 간격을 유지하고 밑에서 많은 양의 공기가 공급 되도록 합니다. 진공관 수명이  뜨거울수록 단축 됩니다. (열 처리/관리를 보면 첫눈에 설계자의 수준을 알수 있습니다)

 

Phono 단은 Heater 만 점화 해서 Amp부를 완성하고 그 후에 2차로 Phono 단을 만듭니다.