KDK Labs

조회 수: 5342, 2013-03-26 04:49:33(2013-03-05)

6LR8 의 최종 작품 입니다.

31LR8 의 3극관 특성은 2A3 보다 우수 합니다.

KTS Audio - 2A3 SE Amp 보다 더 우수한 Amp 를 만듭니다.

6V6 Amp는 넘어 섰습니다.

진공관은 31LR8 을 사용해서 2개의 진공관 Heater 를 직열로 연결하고 62V 직류를 공급합니다.

이 62V 로 출력관 grid bias 로도 사용합니다. 고정 Bias 방식입니다.

전원은 R-core 로 만들고 모두가 직류공급이 됌으로 Hum 걱정없이 부품배치 배선이 가능합니다.

OPT 는 KTS 와 동등하거나 더 고급품을 사용합니다. R-core 로 만드러 우리가 좋다고해도 처음에는 안믿어 줍니다

KTS 에서 사용한 OPT 구할수 있는지 알아봐 주십시요.

조회 수: 3108, 2015-07-28 01:43:49(2012-09-05)

조회 수: 2468, 2013-08-08 04:39:21(2013-07-10)

위의 출력관 Plate 전압이 좀 이상하고 OPT의 1차 저항값이  너무 높습니다  -- 확인 해 보겠습니다 kdk

전에 전원부 Check 하면서 R9 을 제거하고는 더 진전이 없었습니다.

전체 회로 설명부터 하겠습니다.

5극관의 출력단 설계는 Plate 와 Screen grid 최대 손실 전력을 초과하지않는 한도내에서

Control Grid 의 Bias 전압을 정하면 됍니다. 3극관에서와 같이 Plate Load 를 따질수도  없습니다.

(5극관의 rp 는 Plate 곡선에서 정확히 알아낼 수도 없는 매우 큰 값입니다.) 

여기서는 Bias 전압이 -23V 입니다. Driver 관이 공급 해야할 신호 Drive 전압은  peak to peak 값으로 23의 2배로 46V 가 됍니다. Amp의 입력 최고 전압을 1V 로 잡습니다. 1V의 peak to peak 값 2.8 로 나누면  46/2.8 = 16.4  즉 16.4배 의 증폭이 필요 합니다. 저 증폭율 3극 관으로도 이 정도는 가능합니다.  원만한 삼극관은 다 쓸수 있습니다.

여기서 동봉된 3극관은 12AT7 급으로 고증폭율 관에 속합니다.

현 동작 상태는 gm 이 높은관, 예로 6DJ8 같이 Plate 전류를 4ma 나 흘리고 있습니다. 고전류 동작입니다.  흔히 고전류 저전압 동작이 소리가 좋다고들 하지만  소리는 알수없고 Linearity 가 좋은 gm 이 높은 동작 범위를 택한 겁니다. Plate 의 150V 는 낮은 전압은 아니지만 여기서는 일부러 낮은 전압으로 할 필요는 없습니다.

THD 1% 이내로 미세조절 한다면  그때 가서 특성을 보고 검토 할 사항입니다. 

진공관에 따라서는 Vg=0 근처에서 동작이 불안전 합니다. 그런경우를 대비한다면  1.6V 의 Bias 전압을 2V로 올리면 안심할수 있습니다. 저는 현상태도 Gain 이커서 낮은 Bias 전압도 상관 없다고 봅니다.

최종 점검에서 최대 출력시의 입력전압을 알게돼면  다시 검토 하기로 합니다.

****************

출력관 Drive 전압이 비교적 낮고 Drive 관 증폭능력이 충분이 커서 Drive 관의 가용 동작 범위가 매우 넓습니다. 

이런 상황이기 때문에 이 동작범위내 이면  어디던지 모두 OK 입니다.

잉여 증폭도를 약간의 NFB 로 사용하면 좀더 개량됀 Amp 가 만드러 집니다.

           --- NFB 를 이해하는데 위상의 개념이 있어야 합니다. 초보자에게는 고급 회로 방식 입니다. ---

*********************   

R1 : 입력에 연결하는 기기의 출력 Impedance 가 낮으면 저는 100 Kohm 보다 낮은 값도 사용합니다.

     낮은 값은 잡음 감소/회로 안정에 도움이 됍니다.

R2 : High Gm 관의 발진 방지용입니다. 여기서는 제거해도 상관 없슬것 같습니다.

R3 : Bias 저항 --OK

R4 : Load 저항 --Plate 전압이 B+ 의 반정도로 하지만 최대 PP치가 46V라서 이대로도 OK.

R5 : R4 의 6 배나 돼서  이대로 OK

R6 : Bias 저항

R7 : Screen Grid 손실이 규격치 이내라고 확인 돼서 제거해도 상관 없습니다.

R8 : Bleeder 저항으로 B+ 전압의 변동을 감소하기위해서 상당량의 전류를 흘리기도하지만 

     저는 고용량 Capacitor 의 방전용으로 있는것이 좋다고 봅니다. 50 Kohm 2-5W

R9 : 전에 Noise test 하면서 제거해도 상관 없어서 제거했습니다. 

일반 회로에서 전단/출력단 간의 결합방지 와 Ripple 제거로 표준화 되여있는 RC filter 로 습관상 많이들 사용합니다. 1 Kohm 2W 정도 삽입해도 좋고 잡음도 없고 동작이 안정하면 R9 하고 47u/400V 를 아에 제거 해도 좋습니다.

일단 위 회로가 Version #1 - (Original)

3극관 동작이 Version #2 - (MK-I)

Ultra Linear 동작이 Version #3 - (MK-II) 

앞으로 이런식으로 발전해 나갑니다. 

조회 수: 2319, 2013-11-24 04:32:26(2013-10-25)

OPT 2개를 DHT 사의 96B ( 95W-100D -90H로 절단) 에  Molding 고정합니다.

진공관- OPT 거리를 크게 했습니다.  크기 수치도 mm로 삽입 했습니다.

가운데에 큰 무거운 물건이 있어서 양 옆의 눈으로보는 무게를  증가 했습니다.

외장품/ 부품들은  고급스럽게 보이도록 만듭니다.

이런 switch 도 있습니다

시간 나는대로 부품 배치/배선 검토해 주십시요

제가올린 Design 의 변형입니다. 복잡한 고급 Amp 도 이런 모양 많이 씁니다.

조회 수: 4413, 2015-07-28 01:18:49(2012-08-28)

6LR8, 6V6 둘다 Plate Pd가 14 W 입니다. 

Screen Grid의 Pd는 6LR8 이 2.75 W로 6V6 의 2.2 W 보다 25% 높습니다.

조회 수: 3718, 2015-07-28 02:51:16(2012-07-31)

조회 수: 1606, 2013-10-25 15:25:31(2013-10-23)

아래그림에서 (A)는 진공관하고 Trans 의 간격을 좀 크게 했습니다. 

어느쪽이 더 좋게 보이는지요?

참고 자료 들입니다.

OPT 포장 이런식도 있습니다. (1)

OPT 포장 이런식도 있습니다. (2)

Original R-core 전원 Trans 장착 방법 입니다.

 두꺼운 Aluminum 판  을 사용한  Amp

위 사진의 회로 배선은 21LR8 SE 하고 비슷합니다.

CNC 가공한 두꺼운 Aluminum 판에 직접 배선 했습니다

여기서와 같이 Terminal strip 만 공급 할 수도 있습니다. 

 --------------

보통 상식을 벗어난 배치가 전원 T 를 내부에 설치하는것입니다.

R-core 덕분에 체적도 작아지고 Leakage Flux 영향도 감소는 했지만 어느곳에 어떻게 고정하는 것이 좋을지 여러분과 같이 고민 해야할 사항입니다.

----------------

위가 약해지고 밑이 강하고 커졌습니다.

저는 만들고나서 동작상태에서 측정을 많이 합니다. 뒤집어 놓고  Test 나 부품 교환이 가능하도록 ---

여기서는 OPT가 진공관 보다 약간 더 높아야 합니다. 저에게는 매우 중요한 조건입니다.

또 한가지 조건은 진공관 Socket 윗부분이 샤시보다 약간 (0.5mm) 위로 올라오도록 합니다.

조임력이 없는 중국제 Socket 을 가능한 한 Socket 전체가 힘을 않받고 진공관을 뽑는데

이런구조가 저에게는 도움이 됩니다. 사진 올립니다. 

작은 Driver 로  진공관 주위 180도 위치나 120도 위치 에서 한번에 1 mm 씩 뽑아내서 최소한의 힘으로

좌우 움직임도 최소화 합니다. 그리고 뾰죽한 침으로 넓어진 Socket  pin 을 바깥쪽에서 좁혀줍니다. 

중국제 Socket을 사용하는 저의 Know how 입니다.

--------------------------------

 여러분들의 INPUT 가 많이 들어갔습니다.  THANK YOU

9cm -> 10cm (실제크기)로 고쳤습니다

배선은 아래 방식으로 합니다. 머리를 쓰는 배선입니다.

PCB 대신 Terminal strip 를 공급 합니다.

조회 수: 2057, 2014-02-02 10:35:20(2014-01-23)

일본 원로는 좋은 OPT 자작 못합니다.

RSY 작품 -- 개성이 있고 세련 되였습니다

배선도 일본 원로작품 저리가라 - 입니다.

===============

R-core OPT 를 개발 자작해서 만든 RSY Amp 하고의 비교에서 일본대가의 작품 무시할만도 합니다.

SE Amp는 그 성능의 90% 가 OPT 에서 나옵니다. 

제가보기는 진공관이 싸구려라서? 보통 저가 OPT 를 Kurokawa 씨는 사용 했습니다. (일본서는 얼마던지 고성능 SE  OPT를 살수 있슴)  

소출력 Amp 라서 샤시 크기도 여기에 알맞게 잡았습니다. 여기까지는 OK

회로를 제가볼때 필요이상으로 복잡하게 만들고  Parts 선택은 무식하게 큰것을 사용하고 (클 수록 좋고 고급???)  공간을 꽉채워 어렵게 배선 했습니다. 

---- 좁은 공간을 많은 큰 부품으로 채우는 자신의 배선기술 과시---- 를 한 것도 같고

원로 대가 작품으로는 좋은 점수를 줄수가 없네요.

========================

이왕 여기까지 왔스니 회로 검토도 해봅니다.

위 회로도를 보면 출력관 주변은 3가지의 Negative Feed Back 으로 정신없이 만들고 있습니다. 간단한 UL 접속은 있는 것도 사용 안하면서 기타 Negative feed back은 모두 동원하고 --. 

출력관 G2 는 Zener Diode 를 10개나 사용하고 여기에 또 2차로 RC filter 를 개별적으로 더 붙이고 --

B+ 정류시 1000V 이상의 고속 Diode 를 사용하라고 (고주파 전원도 아닌데) ---

잘모르는 사람들에게 --이런 부품을 써야만 제 성능이 나오는 것으로 잘못 알게 됍니다. 

BV1000V 이상의 고속 Diode 는 구하기도 힘듭니다.

R14, 15 의 8 ohm 를 삽입해서 surge current suppress 를 한 것은 알아 줘야 겠습니다. 이 저항으로

Conduction Angle (시간) 이 증가해서 정류기에 부담을 감소해줍니다. 

C6, R12 는 고역 발진 방지용으로 필요한것 같습니다. 전원부도 좌우 Channel 을 따로 만드러 고급 Amp 흉내내고

보통 자작인들에게 굉장히 고성능 회로라고 착각을 줍니다. -- 싸구려 OPT 를 사용 하면서 --

저는 항상 전자화로는 자작인에게는 간단한 기본회로가 제일 이라고 믿는 사람입니다.

===============

 위사진은    회로도의 부품을 모두  장착한 완전 동작하는 Amp 입니다. (1.6v 와 36v 의 C 전원 포함)

참고로 저의 간이 회로하고 특성표 비교  여기에 올립니다.  (2012년 7 월에 jalbum 에올린 특성입니다.) 

 1W 출력에서 제가만든 Amp 의  THD 는 Kurokawa Amp 의 1/2 입니다. 출력도  6W+ 로 약간 더 나오고요.

이득 은 저의 공식이 입력 3Vpp (약 1V  RMS) 에서 최대출력이 나오도록 조정합니다.

A, C 전원 42V , B 전원 240V-250V  all DC --- 고정 Bias 로 21LR8 SE Amp 한번 다시 검토해 보겠습니다.

출력 4W 면 출력관에 별로 부담이 없고 6W 면 좀 부담이 커집니다.

UL tap도 내고 저전압 고전류의 새로운 동작점을 찾아본다면 새로운 특성의 Amp 가 태어날수 있습니다.